多晶硅靶目前已大量的出口及提供國(guó)內(nèi)大導(dǎo)電玻璃生產(chǎn)廠，每月硅靶的產(chǎn)量約為３噸，主要出口國(guó)及地區(qū)為美國(guó)、日本、臺(tái)灣及英國(guó)，較大單片硅板能提供到直徑16英吋或400X400mm。常規(guī)的規(guī)格為P型，摻B，純度為≧99.999%，電阻率為≦0.０２Ω?cm, 尺寸精度為±0.1mm.表面光潔度為Ra≦0.7（也可按客戶的要求供貨），產(chǎn)品經(jīng)過(guò)真空包裝。也可提供管狀硅靶，各種形狀的硅靶都可以提供。

也可為用戶進(jìn)行硅靶的金屬化加工，具體工藝為在硅靶背面鍍上一層銀厚膜，然后上錫。或提供真空鍍銀膜的硅靶。

北京中聯(lián)陽(yáng)光科技有限公司于2001年12月在北京成立，為從事硅材料生產(chǎn)及研發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，注冊(cè)資本為192萬(wàn)元，到2010年的總資本達(dá)到900萬(wàn)元。生產(chǎn)基地在北京市昌平區(qū)小湯山鎮(zhèn)工業(yè)園區(qū)，占地面積為7.2畝。公司的主要產(chǎn)品包括多晶硅材料及多晶硅片、多晶硅靶。2004年被評(píng)為中關(guān)村科技園區(qū)企業(yè)信用報(bào)告的ZC2級(jí)（信用良好級(jí)）。中聯(lián)陽(yáng)光公司的前身基礎(chǔ)為有研半導(dǎo)體材料股份有限公司電池部。在國(guó)內(nèi)已有30年的多晶硅材料及硅靶的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，公司法人及技術(shù)負(fù)責(zé)人林安中博士為歸國(guó)相關(guān)人士，獲得部級(jí)技術(shù)進(jìn)步成果一等獎(jiǎng)一項(xiàng)，二等獎(jiǎng)一項(xiàng)，三等獎(jiǎng)二項(xiàng)。硅片線在科技部創(chuàng)新設(shè)立資金的支持下已研制好能生產(chǎn)160Kg多晶硅錠的鑄錠爐及相關(guān)的加工設(shè)備及得國(guó)家2006年度863高技術(shù)項(xiàng)目研制了270Kg多晶硅錠的鑄錠爐及工藝。公司通過(guò)ISO9000質(zhì)量認(rèn)證。公司具有多臺(tái)鑄錠爐，數(shù)控剖錠機(jī)兩臺(tái)，多臺(tái)進(jìn)口大尺寸內(nèi)園切片機(jī)、線切割機(jī)及磨片機(jī)。為國(guó)內(nèi)主要的有經(jīng)驗(yàn)生產(chǎn)硅靶的單位。 產(chǎn)品介紹 多晶硅靶目前已大量的出口及提供國(guó)內(nèi)大導(dǎo)電玻璃生產(chǎn)廠，每月硅靶的產(chǎn)量約為３噸，主要出口國(guó)及地區(qū)為美國(guó)、日本、寶島及英國(guó)，非常大單片硅板能提供到直徑16英吋或400X400mm。常規(guī)的規(guī)格為P型，摻B，純度為≧99.999%，電阻率為≦0.０２Ω•cm, 尺寸精度為±0.1mm.表面光潔度為Ra≦0.7（也可按客戶的要求供貨），產(chǎn)品經(jīng)過(guò)真空包裝。也可提供管狀硅靶，各種形狀的硅靶都可以提供。 也可為用戶進(jìn)行硅靶的金屬化加工，具體工藝為在硅靶背面鍍上一層銀厚膜，然后上錫�；蛱峁┱婵斟冦y膜的硅靶。

供應(yīng)多晶硅板