此次應用該方法進行了反復生長。該技術(shù)的特點是能夠以(100)面為生長面繼續(xù)生長。較初使具有(100)面的籽晶呈棒狀生長，接著對稱為 (010)面的側(cè)面進行研磨、使結(jié)晶在該面上生長，然后再使結(jié)晶在(100)面上生長，從而使結(jié)晶逐漸大型化。采用該方法可制造6.6克拉的鉆石單結(jié)晶。

　　此外，產(chǎn)綜研還開發(fā)出了可減少損失、切割出板狀的直接晶圓化技術(shù)。直接晶圓化技術(shù)可在幾乎不浪費籽晶的情況下將晶圓切割成板狀，此次以良好的再 現(xiàn)性制造出了10mm見方的晶圓狀鉆石。直接晶圓化技術(shù)在氣相沉積生長之前，事先注入作為籽晶的單結(jié)晶，然后在表面正下方導入缺點層。氣相沉積生長后，缺點層便會形成石墨構(gòu)造，因此能夠以電氣化學性蝕刻去除。該方法在切割籽晶時會損失部分籽晶，不過其消耗僅在1μm以下�？煞磸褪褂米丫�，切離的晶圓還可作為籽晶使用。這樣一來就不再需要制造晶錠，而且也不需要背部研磨部分的生長。

此次由于使用的CVD裝置的關(guān)系，所制造的晶圓非常大只有10mm見方，不過為了擴大鉆石半導體元件應用的可能性，今后將力爭制造出1英寸以上的晶圓。今后將致力于通過改進等離子發(fā)生裝置來實現(xiàn)均一化及大面積化，并采取導入現(xiàn)場觀察技術(shù)等手段來提高結(jié)晶質(zhì)量。