近年來，中國大陸漸漸有些觸控面板廠商開始采用了非日東的大陸本土ITO薄膜產(chǎn)品，這些ITO薄膜價(jià)格非常便宜，能夠滿足大陸觸控面板廠商的成本考量，即便會有觸控靈敏度較差的問題，但只要由大陸觸控面板廠事先直接向客戶說明，在客戶能夠接受的前提下，低價(jià)化的薄膜觸控面板仍有市場。其它非日東觸控ITO薄膜廠商近來接單量也大增，主要則是因?yàn)槿諙|與蘋果合作(推測可能在技術(shù)、****、產(chǎn)能有整體化合作)后，產(chǎn)能吃緊，進(jìn)而使對外供貨的數(shù)量銳減，許多觸控面板廠商無法向日東拿到足夠的ITO薄膜，為了滿足各自客戶需求、沖刺旺季出貨量，于是趕緊轉(zhuǎn)向其他非日東觸控ITO薄膜廠商進(jìn)料�；旧希諙|的ITO薄膜因?yàn)槠焚|(zhì)穩(wěn)定度高、價(jià)格是比較貴。如果非日東廠商的ITO薄膜、價(jià)格與日東沒差多少，等到日東產(chǎn)能又?jǐn)U大對外釋出時(shí)。相對可能就會面臨較大的訂單流失壓力。噴涂。

而Low-E膜層厚度僅為隧穿高層度的10%～20%。合理考慮膜層所含元素對數(shù)據(jù)的影響，可以大致判斷基底玻璃在缺陷區(qū)域內(nèi)的變化程度。(3)相比基片，由于鍍膜引入了部分的Si，綜合Ca/Na比值下降（鍍膜材料中也不含有Ca），可以判斷是Na含量超出基片正常值而導(dǎo)致缺陷處相應(yīng)元素含量比值的大幅下降。氧化物靶材。?銅銦鎵硒（CIGS）5N高純鋁靶光伏太陽能靶材靶材生產(chǎn)商對工業(yè)鍍膜及相關(guān)制品加工中出現(xiàn)的若干缺陷案例采用SEM-BSE/EDS進(jìn)行觀測。分析并比較缺陷/正常區(qū)域在形貌結(jié)構(gòu)、組成上的差異，尋找缺陷成因，進(jìn)而研發(fā)相應(yīng)的生產(chǎn)及品質(zhì)改進(jìn)辦法。（1）Low-E膜層中不含有Na，以基質(zhì)中的Na作為標(biāo)定物是相對穩(wěn)定的。（2）電子束的隧穿高層度達(dá)到約1.5m。不會隨著膜系更改、膜層的而發(fā)生元素含量上的變化。

鈦及鈦合金由于具有熔點(diǎn)高、無磁性、熱膨脹系數(shù)低、比強(qiáng)度和比剛度高以及耐腐蝕性能好、耐生物侵蝕等許多不錯(cuò)特性，成為航空、航天飛行器、海洋艦艇等領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵材料，并在化工、能源、石油、生物醫(yī)學(xué)等多領(lǐng)域獲得了越來越多的應(yīng)用。關(guān)鍵詞：超音速等離子噴涂；鈦涂層；平面氧化鈦靶；旋轉(zhuǎn)氧化鈦靶旋轉(zhuǎn)氧化鈦靶

提高生產(chǎn)線換靶效率新型陰極靶結(jié)構(gòu) 氧化鋅摻鋁（AZO）薄膜因無害、成本低、Zn 源材料豐富以及在 H 等離子體中性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛的研究，尤其作為前電極應(yīng)用在薄膜太陽能電池中 。在AZO薄膜的制備方法中，磁控濺射技術(shù)具有成膜致密和成本低等優(yōu)點(diǎn)，其中以直流和射頻磁控濺射研究廣。 要獲得高性能的AZO薄膜，直流磁控濺射一般要求基片加熱到 200~500 ℃ ，提高了實(shí)際應(yīng)用中的成本，縮小了AZO薄膜的應(yīng)用范圍。而采用射頻磁控濺射技術(shù)可以在低溫下制備高性能的AZO薄膜，但是沉積速率太低，無法滿足實(shí)際生產(chǎn)的需求。

合金等，用于光驅(qū)、光盤、機(jī)械硬盤、磁帶等。信息存儲靶材具備高存儲密度、高傳輸速度等特性。主要用工具、模具等表面強(qiáng)化。大部分國家ITO靶材需求市場主要集中在日本、韓國、中國大陸等亞洲國家。其中中國占到大部分國家總需求的35%以上。ITO導(dǎo)電膜產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要風(fēng)險(xiǎn)，在于主要應(yīng)用市場的需求飽和。據(jù)UVTM公司負(fù)責(zé)人介紹，ITO導(dǎo)電膜面臨其他光電薄膜的替代風(fēng)險(xiǎn)。導(dǎo)電膜：即氟摻雜氧化錫導(dǎo)電膜。ITO導(dǎo)電膜屬于掛式電容屏技術(shù)。以新型顯示應(yīng)用相關(guān)的人工智能(AI)、現(xiàn)實(shí)(VR)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興產(chǎn)業(yè)為，將非常高清顯示應(yīng)用場景作為大數(shù)據(jù)融合應(yīng)用的重要發(fā)力點(diǎn)。ITO究竟是什么？ITO是IndiumTinOdes的縮寫。噴涂設(shè)備。

采用的方法主要有三種：采用異形靶材、優(yōu)化磁氣回路和移動磁場。其中，采用異形靶材包括端部異形、斜邊倒角及臺階等，本方法實(shí)施難度低，但是對利用率的提升效果并不明顯。優(yōu)化磁氣回路的方法適用于弱磁場的應(yīng)用場合，并不能適用于強(qiáng)磁場的應(yīng)用場合。而現(xiàn)有的移動磁場的方法中，控制磁條在靶材上方來回移動，在一些現(xiàn)有技術(shù)中，為避免磁條在靶材的邊緣區(qū)域停留過長而影響鍍膜均勻性，還會控制磁條在靶材的邊緣區(qū)域變速移動，例如：在一側(cè)邊緣處先減速然后加速，再以勻速通過靶材的中間部分，到達(dá)另一側(cè)邊緣處時(shí)先加速再反向運(yùn)動減速。這種控制磁條移動速度的方式雖然能在一定程度上改善鍍膜的均勻性，但是，對于靶材利用率的提升的效果仍不是非常理想。表面噴涂。

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